• 加速电压200kV，最大放大倍数150万倍，最小束斑尺寸0.5nm，样品杆倾转角度±25°；
• 配备扫描透射装置STEM（BF/HADDF探头），Oxford能谱仪，Gatan能量过滤系统（EELS），主动减震台，电子全息，冷却样品杆，加热样品杆（900°C）；
• 点分辨率0.19nm，晶格分辨率0.1nm，STEM晶格分辨率0.2nm，能谱能量分辨率136eV；

1. 材料的形貌、结构、缺陷、原位相变和界面的微观结构分析；
2. 成分的定性和半定量分析，元素的点、线、面分析；
3. 纳米尺度的材料或界面区域的元素分布与价态、电子跃迁、半导体带隙、超导体氧空位等。

吴庆松：51630234，wuqs@fudan.edu.cn