姓　　名：		萨百晟
	出生年份：		1986年
	地　　址：		福建省厦门市厦门大学科学楼310
	邮　　编：		361005
	电　　话：
	传　　真：
	电子邮件：		sabs3311@xmu.edu.cn
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教育与科研经历

• 2010年9月至今， 厦门大学，材料科学与工程系，材料物理与化学，博士
• 2011年10月–2012年9月，瑞典皇家理工学院，国家公派联合培养博士生
• 2010年1月–2010年3月，韩国东国大学，访问交流
• 2008年9月-2010年7月，厦门大学，材料科学与工程系，材料学，硕士
• 2004年9月-2008年7月，厦门大学，材料科学与工程系，本科

研究方向

• 相变存储材料，拓扑绝缘体，热电材料，光催化材料

获奖情况

• 2013年5月 厦门大学优秀博士培养计划
• 2012年11月 国家奖学金
• 2012年10月 宝钢优秀学生奖学金
• 2012年9月 厦门大学博士研究生一等奖学金
• 2012年6月 厦门大学研究生科研成果奖
• 2011年9月 厦门大学博士研究生一等奖学金
• 2011年6月 厦门大学研究生科研成果奖
• 2011年4月 福建电信奖学金
• 2010年10月 厦门大学博士研究生一等奖学金
• 2010年4月 大平-容华乃梅奖学金
• 2009年10月 厦门大学硕士研究生一等奖学金
• 2008年10月 厦门大学硕士研究生一等奖学金
• 2008年7月 厦门大学优秀毕业生
• 2008年7月 厦门大学优秀毕业论文
• 2007年10月 厦门大学三好学生
• 2007年10月 国家奖学金
• 2005年10月 厦门大学优秀学生干部

代表性论文

现已在Physical Review Letters、Physical Review B、Europhysics Letters、Physical Chemistry Chemical Physics、Intermetallics等国际著名学术期刊上发表第一作者学术论文8篇（SCI8篇），作为共同作者发表学术论文11篇（SCI10篇、EI1篇），国家发明专利3个。Researcher ID: B-6063-2012.

1. Sa Baisheng, et al. Topological Insulating in GeTe/Sb2Te3 Phase-Change Superlattice. Physical Review Letters. 109, 096802 (2012).
2. Sa Baisheng, et al. Strain-induced topological insulating behavior in the ternary chalcogenide Ge2Sb2Te5. Europhysical Leters. 97, 27003 (2012).
3. Sa Baisheng, et al. First-principles investigation of mechanical and thermodynamic properties of the rare earth intermetallic YbAl3 under pressure. Intermetallics. 22, 92-98 (2012).
4. Sa Baisheng, et al. Pressure-induced topological insulating behavior in the ternary chalcogenide Ge2Sb2Te5. Physical Review B. 84, 085130 (2011).
5. Sa Baisheng, Zhou Jian, and Sun Zhimei. Electronic mechanism of shear modulus enhancement in rare earth intermetallics Yb1-xTmxAl3. Intermetallics. 19, 1020-1023 (2011).
6. Sa Baisheng, Miao Naihua, Zhou Jian, Song Zhitang, Sun Zhimei, and Ahuja Rajeev. Phase stability and electronic structure of Si2Sb2Te5 phase-change material. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 71, 1165 (2010).
7. Sa Baisheng, et al. Ab initio study of the structure and chemical bonding of stable Ge3Sb2Te6. Physical Chemistry Chemical Physics. 12, 1585 (2010).
8. Sa Baisheng, Sun Zhimei, Kaewmaraya Thanayut, Zhou Jian, and Ahuja Rajeev. Structural and vibrational properties of layered data storage material: Ge2Sb2Te5. Science of Advanced Materials. Accepted.